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Una nueva tecnología desarrollada en Rice University en Texas promete remplazar las memorias flash en 5 años. Podría ayudar a ver celulares con 1TB de almacenamiento.
Actualmente vemos a un celular con 32GB de memoria como lo mejor que hay y en ocasiones conseguimos de 64GB, pero esto se queda muy atrás de lo que Rice University está preparando.
Investigadores de la universidad de Texas han estado creando una nueva memoria RAM resistiva o RRAM que puede ser usada equipos tradicionales a temperaturas normales, haciendo que puede ser usada en dispositivos que usamos a diario.
La gran novedad es que este método se basa en la utilización de óxido de silicio poroso, donde los metales (como el oro y platino) llenan los espacios vacíos. Usando el material de silicio requiere menos energía de la que se utiliza actualmente, resulta ser algo similar a lo que los fabricantes están acostumbrados y puede ser usado 100 veces más y no es afectado por el calor de la misma manera que en el presente. Igualmente, RRAM es mucho menos densa, almacenando nueve bits por celda. Las memorias flash actuales pueden almacenar solo hasta tres bits por celda.
El método logrado por los científicos de Rice debe ayudar a que la creación de chips de memoria RAM se más fácil, al igual que con mayor capacidad, logrando hasta 1TB en el tamaño de una estampilla.
Esto es algo que podría ayudar a avanzar los teléfonos celulares, tabletas, relojes inteligentes y dispositivos portables o de vestir.
Se espera que esta nueva tecnología comience a salir a finales de año en electrodomésticos y carros, por lo que al principio no lo vamos realmente a notar.
Los científicos esperan que en los próximos cinco años su tecnología remplace las memorias flash, permitiendo que diferentes dispositivos pequeños tengan la posibilidad de contar con 1TB de almacenamiento y no solo 16, 32 o 64GB como lo hacen actualmente.
