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INTEL – Intel y Micron han desarrollado conjuntamente un chip NAND de 20 nanómetros que ofrece memoria flash de 128Gb.
Las empresas presentaron su proceso tecnológico de 20nm para crear memorias flash NAND hace unos meses, pero hasta el momento era de 64GB y que se encuentra actualmente en producción para poder ser utilizadas en teléfonos celulares, tablets, SSD y otros. Ahora Intel y Micron lograrían duplicar la capacidad de estas memorias.
De acuerdo con Intel y Micron, el nuevo chip de NAND MLC de 20nm permita hacer posible “almacenar 1Tb de datos en una huella dactilar”.
Intel y Micron han creado una nueva firma llamada IM Flash Technologies, a través de la cual an logrado desarrollar este chip de 128GB.
Adicionalmente, las empresas revelarían más detalles sobre dentro de la tecnología de sus NAND de 20 nanómetros, diciendo el comunicado que su NAND utiliza una estructura de células planas que permiten el almacenamiento más denso por “la integración de la primera línea de puerta Hi-K/Metal en la producción de NAND”.
Se espera que el nuevo NAND de 20 nanómetros de Intel se comience a utilizar en los SSD de la empresa en alguna parte de 2012, permitiendo igualmente que el precio de las memorias actuales reduzcan sus precios.
