ReRam, nueva memoria 100 veces más rápida que las memorias Flash actuales

Innovación / Chips de Computadores

INGLATERRA – Resistive RAM (RAM Resistiva) o ReRam son los nuemos chips de memoria que han probado ser más rápidos que la memoria convencional NAND y que ha estado comenzando a llegar a chips de Panasonic, Sharp y Elpida.

Conociendo del gran desempeño que ofrece esta nueva ReRam, investigadores de University College London han utilizado esta tecnología para lograr crear un chip que opera 100 veces más rápido que las memorias Flash que muy bien conocemos en el mercado.

El dispositivo creado está compuesto completamente de oxido de silicio, el cual mejora la resistencia del chip y no requiere el proceso de vacio formado para trabajar, lo cual lo hace más barato de producir que las actuales memorias.

Adicionalmente a que la nueva memoria ofrece gran velocidad, también tiene la capacidad de moverse a diferentes estados de conductividad y puede ser configurado como un memristor o como un dispositivo que maneja el procesamiento de datos, al igual que las tareas de almacenamiento.

[ NOTICIAS DE: Innovación ]

Investigadores esperan que a largo plazo la tecnología logre abrirse camino a los chips de la CPUs. Los investigadores de University College London ya habrían empezado a trabajar con esta tecnología para desarrollar chips de memoria transparente para dispositivos móviles.

[ Vía: Phys ]